AMC監測的主要目標污染物包括酸類、堿類、可凝結物質和摻雜物質。這些污染物在半導體制造過程中可能對晶圓良率產生負面影響，因此需要對其進行嚴格監測和控制。

　　

　　1、酸類（MA）：酸類物質，尤其是無機酸，對晶圓良率的負面影響是半導體從業者的一大痛點。酸會腐蝕晶圓表面的金屬線或表面，形成顆粒物沉積到晶圓表面，損壞光刻掩模，以及弱化HEPA濾膜性能。痕量酸類物質與晶圓良率的具體關系雖然至今還沒有系統性的研究，但業界普遍認為快速精確檢測pptV濃度有機/無機酸的檢測設備在半導體行業的廣泛使用是必要的。

　　

　　2、堿類（MB）：氨氣、有機胺和酰胺等含氮分子在AMC中是相對特殊的存在。這些堿類分子會在空氣通過簡單的酸堿成核機理，產生鹽類為主的顆粒物，會有很大可能沉降到晶圓表面或者潔凈室內各種外表面。氨氣對銅等金屬表面具有很強的吸附性，對金屬參與的制程和儀器內外表面都會產生持續時間較長的污染。

　　

　　3、可凝結物質（MCs）：該AMC種類主要有塑化劑、有機磷酸鹽、抗氧化劑、硅氧烷和其他VOCs。MC物種的可凝結特性意味著在酸堿成核反應之后，MC會凝結到細小顆粒物外表面，促進其生長，也就相應的增加了沉降幾率和對晶圓表面的危害程度。同時MC也會以分子態或者單分子層凝結到晶圓或者設備部件表面。

　　

　　4、摻雜物質（MD）：如磷、硼等污染物，可改變半導體電性能。

　　

　　AMC監測的主要目標污染物涵蓋了酸類、堿類、可凝結物質和摻雜物質等多個類別。這些污染物在半導體制造過程中可能對晶圓良率產生嚴重影響，因此需要對其進行嚴格監測和控制。